氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主的一种特种陶瓷，晶体以四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成AI65.81%、N34.19%，比重为3.261g/cm3，氮化铝陶瓷片通常成品陶瓷件颜色为白色或灰白色，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。导热系数高达210W/(m.k)，是氧化铝陶瓷导热效率的5-8倍，能耐2200℃以上的高温。氮化铝陶瓷片具有热导率高、机械性能稳定强和优秀的电气绝缘性能，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗，是新一代大规模集成电路以及功率电子产品的理想导热陶瓷材料。精密加工各种硬脆陶瓷材料可以选择使用陶瓷专用的雕铣机进行加工，保证加工效率，加工精度。

　　功率模块是指将多个功率器件芯片以绝缘方式组装到金属基板上进行模块化封装的功率半导体产品，无论是IGBT模块还是DC大功率模块，散热材料都是其重要的“伴侣”之一，大功率半导体模块在工作中会产生非常大的热量，无论工程师是采用哪种散热方式都必须将热量先从发热源导出，热传递材料则是起到了桥梁作用，而氮化铝陶瓷片无疑是最好的选择。

　　2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。

　　3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

　　4、氮化铝陶瓷在当代社会成为了一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。

　　5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。

　　氮化铝陶瓷电路板具有良好的高频性能和电学性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳 定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。近年来斯利通陶瓷电路板得到了广泛的关注和迅速发展。

　　氮化铝陶瓷片选用高纯度氮化铝粉体烧结，经干压成型加工，使陶瓷片具备耐高温磨损、导热绝缘等性能，再进行激光进行陶瓷激光切割精加工处理，使其成为适合大功率模组散热使用的导热材料。返回搜狐，查看更多